Справочник IGBT. NCE160ED120VTP

 

NCE160ED120VTP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE160ED120VTP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1010
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 320
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 48
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 395
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 595
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NCE160ED120VTP

 

 

NCE160ED120VTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1602K  ncepower
 nce160ed120vtp.pdf

NCE160ED120VTP NCE160ED120VTP

NCE160ED120VTP1200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 160

 0.1. Size:1560K  ncepower
 nce160ed120vtp4.pdf

NCE160ED120VTP NCE160ED120VTP

NCE160ED120VTP41200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 16

 6.1. Size:1569K  ncepower
 nce160ed65vtp.pdf

NCE160ED120VTP NCE160ED120VTP

NCE160ED65VTP650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC

 6.2. Size:1532K  ncepower
 nce160ed65vtp4.pdf

NCE160ED120VTP NCE160ED120VTP

NCE160ED65VTP4650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ I

Другие IGBT... NCE15TD120LT , NCE15TD135LP , NCE15TD135LT , NCE15TD60BP , NCE15TD60BT , NCE15TD65BF , NCE15TD65BP , NCE15TD65BT , IKW75N60T , NCE160ED120VTP4 , NCE160ED65VTP , NCE160ED65VTP4 , NCE20TD60BP , NCE20TD60BT , NCE20TD65BD , NCE20TH60BF , NCE25TC120HD .

 

 
Back to Top