Справочник IGBT. NCE160ED65VTP4

 

NCE160ED65VTP4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE160ED65VTP4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 789 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 320 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 64 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 270 nC
   Тип корпуса: TO-247P-4L

 Аналог (замена) для NCE160ED65VTP4

 

 

NCE160ED65VTP4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1532K  ncepower
 nce160ed65vtp4.pdf

NCE160ED65VTP4 NCE160ED65VTP4

NCE160ED65VTP4650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ I

 1.1. Size:1569K  ncepower
 nce160ed65vtp.pdf

NCE160ED65VTP4 NCE160ED65VTP4

NCE160ED65VTP650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC

 6.1. Size:1560K  ncepower
 nce160ed120vtp4.pdf

NCE160ED65VTP4 NCE160ED65VTP4

NCE160ED120VTP41200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 16

 6.2. Size:1602K  ncepower
 nce160ed120vtp.pdf

NCE160ED65VTP4 NCE160ED65VTP4

NCE160ED120VTP1200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 160

Другие IGBT... NCE15TD60BP , NCE15TD60BT , NCE15TD65BF , NCE15TD65BP , NCE15TD65BT , NCE160ED120VTP , NCE160ED120VTP4 , NCE160ED65VTP , IRG7IC28U , NCE20TD60BP , NCE20TD60BT , NCE20TD65BD , NCE20TH60BF , NCE25TC120HD , NCE25TD120BD , NCE25TD120LP , NCE25TD120VD .

 

 
Back to Top