NCE30TD65BP - аналоги и описание IGBT

 

NCE30TD65BP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE30TD65BP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF

Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для NCE30TD65BP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE30TD65BP даташит

 ..1. Size:1031K  ncepower
nce30td65bp.pdfpdf_icon

NCE30TD65BP

 4.1. Size:1163K  ncepower
nce30td65bd.pdfpdf_icon

NCE30TD65BP

 4.2. Size:1030K  ncepower
nce30td65bt.pdfpdf_icon

NCE30TD65BP

 6.1. Size:1027K  ncepower
nce30td60bp.pdfpdf_icon

NCE30TD65BP

Другие IGBT... NCE25TD120LP , NCE25TD120VD , NCE25TD120VT , NCE25TD120VTP , NCE25TD120W , NCE25TD120WT , NCE25TD135LP , NCE30TD65BD , RJH30E2DPP , NCE30TD65BT , NCE40ED120VT , NCE40ED120VTP , NCE40ED65BF , NCE40ED65BT , NCE40ED65VT , NCE40ED75VT , NCE40ER65BP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.