NCE40ER65BPF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NCE40ER65BPF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 57 nC
Тип корпуса: TO-3PF
NCE40ER65BPF Datasheet (PDF)
nce40er65bpf.pdf

Pb Free ProductNCE40ER65BPF650V, 40A, Trench FS III Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS III IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSIII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce40er65bp.pdf

Pb Free ProductNCE40ER65BP650V, 40A, Trench FS III Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS III IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSIII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce40er65bt.pdf

Pb Free ProductNCE40ER65BT650V, 40A, Trench FS III Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 650V Trench FS III IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSIII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching
nce40ed65bt.pdf

NCE40ED65BT650V 40A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.50V(Typ.) @ IC = 40
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXYH50N120C3
History: IXYH50N120C3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20