NCE50EU65UT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NCE50EU65UT  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 294 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NCE50EU65UT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE50EU65UT даташит

 ..1. Size:1222K  ncepower
 nce50eu65ut.pdf pdf_icon

NCE50EU65UT

NCE50EU65UT 650V 50A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.80V(Typ.) @ IC = 50

 8.1. Size:1161K  ncepower
 nce50ed120vt.pdf pdf_icon

NCE50EU65UT

NCE50ED120VT 1200V 50A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.65V(Typ.) @ IC =

 8.2. Size:1194K  ncepower
 nce50ed65vt.pdf pdf_icon

NCE50EU65UT

NCE50ED65VT 650V 50A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC = 50

 8.3. Size:1175K  ncepower
 nce50ed120vtp.pdf pdf_icon

NCE50EU65UT

NCE50ED120VTP 1200V 50A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.65V(Typ.) @ IC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE40TD60BPF, NCE40TD65B, NCE40TD65BP, NCE40TH60BPF, NCE40TH60BT, NCE50ED120VT, NCE50ED120VTP, NCE50ED65VT, MGD623S, NCE50TD120BP, NCE50TD120BT, NCE50TD120VT, NCE50TD120VTP, NCE50TD120WT, NCE50TD120WW, NCE60TD120UT, NCE60TD65BP