Справочник IGBT. NCE75ED65BT

 

NCE75ED65BT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE75ED65BT
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 402 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 158 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 159 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NCE75ED65BT

 

 

NCE75ED65BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:800K  ncepower
 nce75ed65bt.pdf

NCE75ED65BT NCE75ED65BT

NCE75ED65BT650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.50V(Typ.) @ IC = 75

 5.1. Size:1082K  ncepower
 nce75ed65vt4.pdf

NCE75ED65BT NCE75ED65BT

NCE75ED65VT4650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 7

 5.2. Size:1129K  ncepower
 nce75ed65vt.pdf

NCE75ED65BT NCE75ED65BT

NCE75ED65VT650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 75

 5.3. Size:1142K  ncepower
 nce75ed65vtp.pdf

NCE75ED65BT NCE75ED65BT

NCE75ED65VTP650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 7

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top