Справочник IGBT. BLG15T65FUL-B

 

BLG15T65FUL-B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG15T65FUL-B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BLG15T65FUL-B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG15T65FUL-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1007K  belling
 blg15t65ful-b blg15t65ful-p blg15t65ful-a.pdf pdf_icon

BLG15T65FUL-B

BLG15T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized swi hing CE(sat) tcperformance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 1

 4.1. Size:979K  belling
 blg15t65fua-a blg15t65fua-b blg15t65fua-p.pdf pdf_icon

BLG15T65FUL-B

BLG15T65FUA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: TT075U065FBC | NTE3310 | IRGP4650D

 

 
Back to Top

 


 
.