BLG3040-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BLG3040-D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2500 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 69 pF

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BLG3040-D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG3040-D даташит

 ..1. Size:1079K  belling
 blg3040-d blg3040-p blg3040-i blg3040-b.pdf pdf_icon

BLG3040-D

BLG3040 IGBT 1 Description BLG3040 is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. KEY

 ..2. Size:931K  belling
 blg3040-d blg3040-b.pdf pdf_icon

BLG3040-D

BLG3040 IGBT 1 Description BLG3040 is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. KEY

Другие IGBT... BLG15T65FUL-P, BLG15T65FUL-A, BLG20T65FDLA-A, BLG20T65FDLA-P, BLG20T65FDLA-F, BLG20T65FDLA-B, BLG20T65FULA-P, BLG20T65FULA-A, RJP30H2A, BLG3040-B, BLG3040-P, BLG3040-I, BLG40T120FDH-F, BLG40T120FUH-F, BLG40T120FUK-F, BLG40T65FDK-W, BLG40T65FDK-F