Справочник IGBT. BLG60T65FDL-W

 

BLG60T65FDL-W Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG60T65FDL-W
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G60T65FDL
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 121 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 118 nC
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BLG60T65FDL-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  belling
 blg60t65fdl-f blg60t65fdl-k blg60t65fdl-w.pdf pdf_icon

BLG60T65FDL-W

BLG60T65FDL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FDL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

 4.1. Size:1110K  belling
 blg60t65fdk-f blg60t65fdk-k blg60t65fdk-w.pdf pdf_icon

BLG60T65FDL-W

BLG60T65FDK IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FDK is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

 5.1. Size:1113K  belling
 blg60t65ful-f blg60t65ful-k blg60t65ful-w.pdf pdf_icon

BLG60T65FDL-W

BLG60T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DGW40N65BTH

 

 
Back to Top

 


 
.