Справочник IGBT. BLQG50T65FDLA-K

 

BLQG50T65FDLA-K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLQG50T65FDLA-K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 44
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 158
   Тип корпуса: TO-3PF

 Аналог (замена) для BLQG50T65FDLA-K

 

 

BLQG50T65FDLA-K Datasheet (PDF)

 0.1. Size:960K  belling
 blqg50t65fdla-f blqg50t65fdla-k blqg50t65fdla-w.pdf

BLQG50T65FDLA-K BLQG50T65FDLA-K

BLQG50T65FDLA IGBT 1Description Step-Down Converter BLQG50T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CEswitching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

 4.1. Size:938K  belling
 blqg50t65fcka-f.pdf

BLQG50T65FDLA-K BLQG50T65FDLA-K

BLQG50T65FCKA IGBT 1Description Step-Down Converter BLQG50T65FCKA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CEswitching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

Другие IGBT... BLG75T65FDL-F , BLG75T65FUK-F , BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , TGAN60N60F2DS , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF .

 

 
Back to Top