MPBL75N120BF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MPBL75N120BF 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: TO-264
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MPBL75N120BF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MPBL75N120BF даташит
mpbl75n120bf.pdf
MPBL75N120BF 1200V 75A IGBT UPS TO-264 MPBL75N120BF MP75N120BF TO-264 1 -
Другие IGBT... BLQG50T65FDLA-W, RGT20TM65D, AMPBQ200N75GSFA, AMPBW50N65E, AMPBZ50N65ED, MPBC40N65EH, MPBD6N65ESF, MPBC6N65ESF, IRG4PC50UD, MPBP10N65EF, MPBA10N65EF, MPBD10N65EF, MPBP15N65EF, MPBA15N65EF, MPBC15N65EF, MPBP20N65EF, MPBA20N65EF
History: MPBW40N65BU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360

