AOT10B65M1 - аналоги и описание IGBT

 

AOT10B65M1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: AOT10B65M1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT10B65M1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры AOT10B65M1

 ..1. Size:1183K  aosemi
 aot10b65m1.pdf pdf_icon

AOT10B65M1

AOT10B65M1/AOB10B65M1 TM 650V, 10A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high

 5.1. Size:1525K  aosemi
 aot10b65m2.pdf pdf_icon

AOT10B65M1

AOT10B65M2 TM 650V, 10A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 10A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.6V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

 5.2. Size:592K  aosemi
 aot10b65mq2.pdf pdf_icon

AOT10B65M1

AOT10B65MQ2 TM 650V, 10A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

 7.1. Size:654K  aosemi
 aot10b60d.pdf pdf_icon

AOT10B65M1

AOT10B60D TM 600V, 10A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 10A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.53V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOK75B60D1 , AOK75B65H1 , AOK75B65H1V , AOKS30B60D1 , AOKS40B60D1 , AOKS40B65H1 , AOKS40B65H2AL , AOT10B60M1 , TGAN60N60F2DS , AOT10B65M2 , AOT10B65MQ2 , AOT15B60D , AOT15B65M3 , AOT15B65MQ1 , AOT20B65M1 , AOT5B60D , AOT5B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.