AOTF10B60D2 - аналоги и описание IGBT

 

AOTF10B60D2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOTF10B60D2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AOTF10B60D2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF10B60D2 даташит

 ..1. Size:721K  aosemi
 aotf10b60d2.pdf pdf_icon

AOTF10B60D2

AOTF10B60D2 TM 600V, 10A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 10A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25 C) 1.55V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 4.1. Size:728K  aosemi
 aotf10b60d.pdf pdf_icon

AOTF10B60D2

AOTF10B60D TM 600V, 10A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 10A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.53V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 6.1. Size:1325K  aosemi
 aotf10b65m1.pdf pdf_icon

AOTF10B60D2

AOTF10B65M1 TM 650V, 10A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencie

 6.2. Size:1182K  aosemi
 aotf10b65m2.pdf pdf_icon

AOTF10B60D2

AOTF10B65M2 TM 650V, 10A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 10A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.6V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT10B65MQ2 , AOT15B60D , AOT15B65M3 , AOT15B65MQ1 , AOT20B65M1 , AOT5B60D , AOT5B65M1 , AOT8B65M3 , FGH30S130P , AOTF10B65M1 , AOTF10B65M2 , AOTF10B65MQ2 , AOTF15B60D2 , AOTF15B65M2 , AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.