Справочник IGBT. AOTF10B65MQ2

 

AOTF10B65MQ2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTF10B65MQ2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF10B65MQ2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF10B65MQ2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  aosemi
 aotf10b65mq2.pdf pdf_icon

AOTF10B65MQ2

AOTF10B65MQ2TM 650V, 10A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 10AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.6VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

 4.1. Size:1325K  aosemi
 aotf10b65m1.pdf pdf_icon

AOTF10B65MQ2

AOTF10B65M1TM650V, 10A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 10AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.6VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencie

 4.2. Size:1182K  aosemi
 aotf10b65m2.pdf pdf_icon

AOTF10B65MQ2

AOTF10B65M2TM650V, 10A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 10AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.6VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

 6.1. Size:721K  aosemi
 aotf10b60d2.pdf pdf_icon

AOTF10B65MQ2

AOTF10B60D2TM600V, 10A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 10Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25C) 1.55Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.