AOTF15B65MQ1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AOTF15B65MQ1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AOTF15B65MQ1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF15B65MQ1 даташит

 ..1. Size:587K  aosemi
 aotf15b65mq1.pdf pdf_icon

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65MQ1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

 4.1. Size:558K  aosemi
 aotf15b65m1.pdf pdf_icon

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien

 4.2. Size:572K  aosemi
 aotf15b65m3.pdf pdf_icon

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M3 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.95V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

 4.3. Size:1205K  aosemi
 aotf15b65m2.pdf pdf_icon

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M2 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT8B65M3, AOTF10B60D2, AOTF10B65M1, AOTF10B65M2, AOTF10B65MQ2, AOTF15B60D2, AOTF15B65M2, AOTF15B65M3, SGT60U65FD1PT, AOTF20B65LN2, AOTF20B65M1, AOTF20B65M2, AOTF5B65M1, AOTF5B65M2, AOTF8B65MQ1, AOTS40B65H1, G50T65D