Справочник IGBT. AOTF15B65MQ1

 

AOTF15B65MQ1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTF15B65MQ1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AOTF15B65MQ1

 

 

AOTF15B65MQ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  aosemi
 aotf15b65mq1.pdf

AOTF15B65MQ1 AOTF15B65MQ1

AOTF15B65MQ1TM 650V, 15A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

 4.1. Size:558K  aosemi
 aotf15b65m1.pdf

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M1TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien

 4.2. Size:572K  aosemi
 aotf15b65m3.pdf

AOTF15B65MQ1 AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M3TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltageIC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

 4.3. Size:1205K  aosemi
 aotf15b65m2.pdf

AOTF15B65MQ1

AOTF15B65M2TM650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top