AOTF5B65M1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOTF5B65M1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.57 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
Тип корпуса: TO220F
- подбор IGBT транзистора по параметрам
AOTF5B65M1 Datasheet (PDF)
aotf5b65m1.pdf

AOTF5B65M1TM650V, 5A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 5AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.57VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci
aotf5b65m2.pdf

AOTF5B65M2TM650V, 5A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 5AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.57VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci
aotf5b60d.pdf

AOTF5B60DTM600V, 5A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 5Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.55Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to
aotf5n50.pdf

AOT5N50/AOTF5N50500V, 5A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT5N50 & AOTF5N50 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 5Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: MGB15N40CL
History: MGB15N40CL



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408