Справочник IGBT. AOTF8B65MQ1

 

AOTF8B65MQ1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTF8B65MQ1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор транзистора по параметрам

 

 

AOTF8B65MQ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  aosemi
aotf8b65mq1.pdf pdf_icon

AOTF8B65MQ1
AOTF8B65MQ1

AOTF8B65MQ1TM 650V, 8A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 8AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.8VC) Low VCE(sat) and Vf Low turn-off switching loss and softness High effective tu

 9.1. Size:159K  aosemi
aotf8n50.pdf pdf_icon

AOTF8B65MQ1
AOTF8B65MQ1

AOT8N50/AOTF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT8N50 & AOTF8N50 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:349K  aosemi
aotf8n80.pdf pdf_icon

AOTF8B65MQ1
AOTF8B65MQ1

AOT8N80/AOTF8N80800V, 7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900V@150The AOT8N80 & AOTF8N80 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7.4Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:441K  aosemi
aotf8n60.pdf pdf_icon

AOTF8B65MQ1
AOTF8B65MQ1

AOT8N60/AOTF8N60600V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT8N60 & AOTF8N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 8Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOTF15B65M2 , AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 , SGT60U65FD1PT , AOTS40B65H1 , , , , , , , .

 

 
Back to Top