DGC40H120M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGC40H120M2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 388 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGC40H120M2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGC40H120M2 даташит

 ..1. Size:1005K  cn wxdh
 dgc40h120m2.pdf pdf_icon

DGC40H120M2

DGC40H120M2 40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description These Insulated Gate Bipolar Transistor used advanced trench and Fieldstop technology design, provided excellent Vcesat and switching speed ,low gate charge. Which accords with the RoHS standard. 2 Features Low Vcesat Low gate charge Excellent switching speed Easy paralleling capability d

 9.1. Size:954K  cn wxdh
 dgc40f65m2.pdf pdf_icon

DGC40H120M2

DGC40F65M2 40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.85V @ I =40

 9.2. Size:1010K  cn wxdh
 dgc40f120m2.pdf pdf_icon

DGC40H120M2

DGC40F120M2 40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description These Insulated Gate Bipolar Transistor used advanced trench and Fieldstop technology design, provided excellent Vcesat and switching speed ,low gate charge. Which accords with the RoHS standard. 2 Features Low Vcesat Low gate charge Excellent switching speed Easy paralleling capability d

Другие IGBT... AOTF5B65M1, AOTF5B65M2, AOTF8B65MQ1, AOTS40B65H1, G50T65D, DGC20F65M2, DGC40F120M2, DGC40F65M2, GT30G122, DGC50F65M2, DGC60F65M, DGC75F120M2, DGC75F65M, DGD06F65M2, DGE20F65M2, DGF30F65M2, DHG60T65D