Справочник IGBT. JJT10N65SC

 

JJT10N65SC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JJT10N65SC
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JJT10N65SC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT10N65SC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2552K  jiejie micro
 jjt10n65sc.pdf pdf_icon

JJT10N65SC

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SCKey performance:TO-263 V =650VCE I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE 10s short circuit capability Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl

 0.1. Size:3515K  jiejie micro
 jjt10n65scd.pdf pdf_icon

JJT10N65SC

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SCDKey performance:TO-263 V =650VCE I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures:G High ruggedness performanceE 10s short circuit capability Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliant

 5.1. Size:2557K  jiejie micro
 jjt10n65st.pdf pdf_icon

JJT10N65SC

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65STKey performance: V =650VCETO-252 I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)CFeatures: High ruggedness performanceG 10s short circuit capabilityE Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantAppl

 5.2. Size:2850K  jiejie micro
 jjt10n65ss.pdf pdf_icon

JJT10N65SC

650V 10A Trench and Field Stop IGBTJJT10N65SSKey performance: V =650VCETO-220F I =10A@T =100C C V =1.8 VCE(sat)Features: High ruggedness performance 10s short circuit capabilityGCE Positive V temperature coefficientCE (sat) High efficiency for motor control Excellent current sharing in parallel operation RoHS compliantApp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DGE20F65M2 , DGF30F65M2 , DHG60T65D , G25T120D , G40N120D , G50T65DS , G50T65LBBW , DHG20T65D , FGH40N60SFD , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , JJT50N65HE , JJT50N65LE , JJT50N65UE .

 

 
Back to Top

 


 
.