IXSH24N60AU1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSH24N60AU1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSH24N60AU1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXSH24N60AU1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH24N60AU1 даташит

 ..1. Size:37K  ixys
 ixsh24n60u1 ixsh24n60au1.pdf pdf_icon

IXSH24N60AU1

HiPerFASTTM IGBT with Diode VCES IC25 VCE(sat) IXSH 24N60U1 600 V 48 A 2.2 V Short Circuit SOA Capability IXSH 24N60AU1 600 V 48 A 2.7 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E G = Gate, C = Collector, IC25 TC = 25 C48 A E = Emitter, TAB

 ..2. Size:36K  ixys
 ixsh24n60au1.pdf pdf_icon

IXSH24N60AU1

HiPerFASTTM IGBT with Diode VCES IC25 VCE(sat) IXSH 24N60U1 600 V 48 A 2.2 V Short Circuit SOA Capability IXSH 24N60AU1 600 V 48 A 2.7 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E G = Gate, C = Collector, IC25 TC = 25 C48 A E = Emitter, TAB

 4.1. Size:110K  ixys
 ixsh24n60a.pdf pdf_icon

IXSH24N60AU1

Advance Technical Information VCES IC90 VCE(sat) HiPerFASTTM IGBT IXSH24N60 600V 24A 2.2V Short Circuit SOA Capability 600V 24A 2.7V IXSH24N60A TO-247 (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G TAB C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector IC25 TC = 25 C 48 A E = Em

 5.1. Size:100K  ixys
 ixsh24n60bd1.pdf pdf_icon

IXSH24N60AU1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH10N120AU1 , IXSH15N120AU1 , IXSH15N120B , IXSH16N60U1 , IXSH20N60AU1 , IXSH20N60U1 , IXSH24N60 , IXSH24N60A , CRG60T60AK3HD , IXSH24N60U1 , IXSH25N100 , IXSH25N100A , IXSH25N120A , IXSH25N120AU1 , IXSH30N60 , IXSH30N60A , IXSH30N60AU1 .

History: APT50GP60S | IGC142T120T8RL | CT25ASJ-8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.