Справочник IGBT. IXSH25N120A

 

IXSH25N120A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSH25N120A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH25N120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  ixys
 ixsh25n120a.pdf pdf_icon

IXSH25N120A

IXSH25N120AIC25 = 50 AIGBTImproved SCSOA Capability VCES = 1200 VVCE(sat) = 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247ADVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25C 50 A EIC90 TC = 90C 25 AICM TC = 25C, 1 ms 80 ASSOA VGE = 15 V, TJ = 125C, RG = 33 W ICM = 50 A

 0.1. Size:34K  ixys
 ixsh25n120au1.pdf pdf_icon

IXSH25N120A

IXSH25N120AU1IGBT with Diode IC25 = 50 A"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCES = 1200 VVCE(sat) = 4.0 VCGESymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGECIC25 TC = 25C 50 AIC90 TC = 90C 25 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AFeaturesSSOA

 6.1. Size:297K  ixys
 ixsh25n100 ixsm25n100 ixsh25n100a ixsm25n100a.pdf pdf_icon

IXSH25N120A

Datasheet.Live

 9.1. Size:100K  ixys
 ixsh24n60bd1.pdf pdf_icon

IXSH25N120A

IXSH 24N60B VCES = 600 VHigh Speed IGBTIXST 24N60B IC25 = 48 AIXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityIXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns(D1)TO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH20N60AU1 , IXSH20N60U1 , IXSH24N60 , IXSH24N60A , IXSH24N60AU1 , IXSH24N60U1 , IXSH25N100 , IXSH25N100A , JT075N065WED , IXSH25N120AU1 , IXSH30N60 , IXSH30N60A , IXSH30N60AU1 , IXSH30N60B , IXSH30N60BD1 , IXSH30N60C , IXSH30N60CD1 .

History: DGW40N120CTH | IGW40N60H3

 

 
Back to Top

 


 
.