IXSH30N60AU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXSH30N60AU1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXSH30N60AU1
IXSH30N60AU1 Datasheet (PDF)
ixsh30n60u1 ixsh30n60au1.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXSH 30 N60U1 600 V 50 A 2.5 VHigh Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60AU1 600 V 50 A 3.0 VCombi PacksShort Circuit SOA CapabilityTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AG = Gat
ixsh30n60u1.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXSH 30 N60U1 600 V 50 A 2.5 VHigh Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60AU1 600 V 50 A 3.0 VCombi PacksShort Circuit SOA CapabilityTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AG = Gat
ixsh30n60 ixst30n60.pdf

VCES ICES tfiHigh Speed IGBTIXSH/IXST 30N60B 600 V 2.0 V 140 nsIXSH/IXST 30N60C 600 V 2.5 V 70 nsShort Circuit SOA CapabilityTO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC = 25C55 AIC90 TC = 90C30 AGICM
Другие IGBT... IXSH24N60AU1 , IXSH24N60U1 , IXSH25N100 , IXSH25N100A , IXSH25N120A , IXSH25N120AU1 , IXSH30N60 , IXSH30N60A , TGAN60N60F2DS , IXSH30N60B , IXSH30N60BD1 , IXSH30N60C , IXSH30N60CD1 , IXSH30N60U1 , IXSH35N100A , IXSH35N120A , IXSH35N140A .
History: APTGT50X120BTP3 | MG25Q6ES51 | IXSA16N60 | 1MBG10D-060 | IKP08N65F5 | AOGF40B65H2AL
History: APTGT50X120BTP3 | MG25Q6ES51 | IXSA16N60 | 1MBG10D-060 | IKP08N65F5 | AOGF40B65H2AL



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735