Справочник IGBT. IXSK30N60CD1

 

IXSK30N60CD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSK30N60CD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXSK30N60CD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSK30N60CD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsk30n60cd1.pdf pdf_icon

IXSK30N60CD1

High Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60CD1VCES = 600 VIXSK 30 N60CD1IC25 = 55 AIXST 30 N60CD1VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 70 nsPreliminary dataTO-247AD(IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 600 V EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-268 (D3)(IXST)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VCG

 5.1. Size:117K  ixys
 ixsk30n60bd1.pdf pdf_icon

IXSK30N60CD1

High Speed IGBT with Diode IXSH 30N60BD1VCES = 600 VIXSK 30N60BD1IC25 = 55 AIXST 30N60BD1VCE(sat) = 2.0 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 140 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3)IC25 TC = 25C55 A(IXST)IC9

 9.1. Size:118K  ixys
 ixsk35n120bd1 ixsx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSK30N60CD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 9.2. Size:115K  ixys
 ixsk35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSK30N60CD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , MGD623S , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A .

History: IXGH50N90B2 | IRG4BC40S | DM2G75SH6A | IXGH100N30C3 | DM2G50SH12A | DM2G200SH12AE | SGP13N60UF

 

 
Back to Top

 


 
.