IXSK50N60BD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXSK50N60BD1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXSK50N60BD1
IXSK50N60BD1 Datasheet (PDF)
ixsk50n60bd1.pdf

IGBT with Diode IXSK 50N60BD1 VCES = 600 VIXSX 50N60BD1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 V TO-264 AA(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A
ixsk50n60bu1.pdf

IGBT with Diode IXSK 50N60BU1 VCES = 600 VIXSX 50N60BU1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-264 AAVGES Continuous 20 V(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A
ixsk50n60au1.pdf

IGBT with Diode IXSK 50N60AU1 VCES = 600 VIC25 = 75 ACombi Pack VCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AAVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C50 AE = Emit
Другие IGBT... IXSH50N60B , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IKW40T120 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 .
History: IRGP6690DPBF | IXGT32N90B2 | VS-GT50TP120N | SKM150GB12T4 | FGW30N60VD | MIXA20W1200MC | VS-GB100TP120U
History: IRGP6690DPBF | IXGT32N90B2 | VS-GT50TP120N | SKM150GB12T4 | FGW30N60VD | MIXA20W1200MC | VS-GB100TP120U



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65