Справочник IGBT. IXSP16N60

 

IXSP16N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSP16N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 40 nC
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXSP16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ixys
 ixsa16n60 ixsp16n60.pdf pdf_icon

IXSP16N60

Preliminary Data SheetIXSA 16N60 VCES = 600VLow VCE(sat) IGBT IXSP 16N60IC25 = 16AShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat)typ = 1.8VTO-220AB(IXSP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-263AAIC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25

 9.1. Size:589K  ixys
 ixsa10n60b2d1 ixsp10n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSP16N60

High Speed IGBT IXSA 10N60B2D1VCES = 600 VIXSP 10N60B2D1with Diode IC25 = 20 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXSA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VEC (TAB)IC25 TC = 25C20 ATO-220AB (IXSP)

 9.2. Size:82K  ixys
 ixsp15n120b.pdf pdf_icon

IXSP16N60

Advance Technical InformationIXSA 15N120B VCES =1200 VHIGH Voltage IGBTIXSP 15N120B IC25 = 30 AVCE(sat) = 3.4 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityTO-220AB (IXSP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VC (TAB)GCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C30 ATO-263 AA (

 9.3. Size:586K  ixys
 ixsp10n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSP16N60

High Speed IGBT IXSA 10N60B2D1VCES = 600 VIXSP 10N60B2D1with Diode IC25 = 20 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXSA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VEC (TAB)IC25 TC = 25C20 ATO-220AB (IXSP)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , BT15T120ANF , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 .

History: SG35N12T

 

 
Back to Top

 


 
.