IGC07R60D - аналоги и описание IGBT

 

IGC07R60D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGC07R60D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF

Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для IGC07R60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC07R60D даташит

 ..1. Size:130K  infineon
igc07r60d.pdfpdf_icon

IGC07R60D

IGC07R60D TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage Features TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600V applications offering Optimised VCEsat and VF for low conduction losses Smooth switching performance leading to low EMI levels Very tight param

 0.1. Size:96K  infineon
igc07r60de.pdfpdf_icon

IGC07R60D

IGC07R60DE TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications IGBT chip with monolithically integrated diode in packages offering space saving advantage Features TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600V applications offering Optimised VCEsat and VF for low conduction losses Smooth switching performance leading to low EMI levels Very tight parameter dist

 9.1. Size:71K  infineon
igc07t120t8l.pdfpdf_icon

IGC07R60D

IGC07T120T8L IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC07T120T8L 1200V 4A 2

 9.2. Size:64K  infineon
sigc07t60un.pdfpdf_icon

IGC07R60D

SIGC07T60UN High Speed IGBT Chip in NPT-technology C FEATURES This chip is used for low Eoff SKB06N60HS 600V NPT technology 100 m chip G Applications short circuit prove E Welding positive temperature coefficient PFC easy paralleling UPS Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67050-A4220- SIGC07T60UN 60

Другие IGBT... 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , GT60N321 , IGC06R60DE , APT15GF170BR , IGC03R60D , IGC03R60DE , IGC04R60D , IGC04R60DE , IGC05R60D , IGC05R60DE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.