IXSX50N60AU1S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXSX50N60AU1S
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
Тип корпуса: TO247SMD
Аналог (замена) для IXSX50N60AU1S
IXSX50N60AU1S Datasheet (PDF)
ixsx50n60au1 ixsx50n60au1s.pdf
Preliminary dataVCES = 600 VIXSX50N60AU1IGBT with DiodeIXSX50N60AU1S IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VCombi PackShort Circuit SOA CapabilityTO-247 Hole-less SMD(50N60AU1S)C (TAB)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 Hole-lessVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(50N60AU1)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V
ixsx50n60bd1.pdf
IGBT with Diode IXSK 50N60BD1 VCES = 600 VIXSX 50N60BD1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 V TO-264 AA(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A
ixsx50n60bu1.pdf
IGBT with Diode IXSK 50N60BU1 VCES = 600 VIXSX 50N60BU1 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPLUS247(IXSX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsC (TAB)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-264 AAVGES Continuous 20 V(IXSK)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C50 A
Другие IGBT... IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , SGT60U65FD1PT , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2