TGH80N65F2D2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGH80N65F2D2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 577 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 216 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для TGH80N65F2D2
TGH80N65F2D2 Datasheet (PDF)
tgh80n65f2d2.pdf

TGH80N65F2D2Field Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureG C EApplications UPS, Inverter, Solar, Welder, Vienna Rectifier Device Package Marking R
tgh80n65f2dr.pdf

TGH80N65F2DRField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology AEC Q101 Qualified Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, Solar, PTC Heate
tgh80n65f2ds.pdf

TGH80N65F2DSField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureG C EApplications UPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGH80N65F2DS
Другие IGBT... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , RJP30H2A , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .
History: MIAA10WF600TMH | STGD10NC60KDT4 | IXGA42N30C3 | 2MBI200SB-120 | SKM200GAL123D | IXGH50N60B2
History: MIAA10WF600TMH | STGD10NC60KDT4 | IXGA42N30C3 | 2MBI200SB-120 | SKM200GAL123D | IXGH50N60B2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet