MDI145-12A3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MDI145-12A3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 480 nC
Тип корпуса: INT-A-PAK
Аналог (замена) для MDI145-12A3
MDI145-12A3 Datasheet (PDF)
mdi145-12a3.pdf
MDI145-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 160AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI145-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l
Другие IGBT... IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , FGD4536 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2