Справочник IGBT. MGP11N60E

 

MGP11N60E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP11N60E
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 39.2 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP11N60E

 

 

MGP11N60E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:123K  motorola
 mgp11n60erev0.pdf

MGP11N60E MGP11N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60E/DDesigner's Data SheetMGP11N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high11 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V I

 0.2. Size:150K  motorola
 mgp11n60ed.pdf

MGP11N60E MGP11N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60ED/DDesigner's Data SheetMGP11N60EDInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO22011 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged15 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an a

 6.1. Size:107K  motorola
 mgp11n60de.pdf

MGP11N60E MGP11N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP11N60DE/DProduct Preview Data SheetMGP11N60DEInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeIGBT & DIODE IN TO220NChannel Enhancement Mode Silicon Gate11 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged 15 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an ad

Другие IGBT... MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , CRG40T60AN3H , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL .

 

 
Back to Top