MGP15N60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGP15N60U
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 39.2 nC
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MGP15N60U Datasheet (PDF)
mgp15n60u.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP15N60U/DDesigner's Data SheetMGP15N60UInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high15 A @ 90Cvoltageblocking capability. It also provide
mgp15n60urev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP15N60U/DProduct PreviewMGP15N60UInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high15 A @ 90Cvoltageblocking capability. It also provides fast sw
mgb15n35clt4 mgp15n35cl.pdf

MGP15N35CL,MGB15N35CL,MGC15N35CLInternally ClampedN-Channel IGBThttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and OverVoltage clampedNCHANNEL IGBTprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and15 A, 350
Другие IGBT... MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , GT30F126 , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E .
History: MGP7N60ED
History: MGP7N60ED



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor