MSAGX60F60B - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSAGX60F60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: P
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500pF pF
Тип корпуса: SMD-P
Аналог (замена) для MSAGX60F60B
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSAGX60F60B даташит
msagx60f60a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa
msagx75f60a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAGX75F60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package 2.7 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ
msagx75l60a.pdf
2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAGX75L60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ
Другие IGBT... MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , IRGP4066D , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B .
History: MUBW30-12A6K | MUBW10-06A7 | IXCK36N250
History: MUBW30-12A6K | MUBW10-06A7 | IXCK36N250
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580



