MSAGX60F60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSAGX60F60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: P
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500pF pF
Тип корпуса: SMD-P
Аналог (замена) для MSAGX60F60B
MSAGX60F60B Datasheet (PDF)
msagx60f60a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGX60F60AFAX: (714) 966-5256MSAHX60F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa
msagx75f60a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAGX75F60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package2.7 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ
msagx75l60a.pdf

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAGX75L60AFeatures600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon requ
Другие IGBT... MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , JT075N065WED , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B .
History: APT200GN60JDQ4
History: APT200GN60JDQ4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580