Справочник IGBT. NTE3322

 

NTE3322 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: NTE3322

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 5300

Аналог (замена) для NTE3322

 

 

NTE3322 Datasheet (PDF)

1.1. nte3322.pdf Size:69K _no

NTE3322
NTE3322

NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3PBL Features: D Enhancemnt Mode Type D FRD Included Bwetwen Emitter and Collector D High Speed D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.1. nte3323.pdf Size:45K _no

NTE3322
NTE3322

NTE3323 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2. nte3320.pdf Size:43K _no

NTE3322
NTE3322

NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features: D Fourth Generation IGBT D Enhancement Mode Type D High Speed D Low Switching Loss D Low Saturation Voltage Applications: D High Power Switching Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Другие IGBT... MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , CT60AM-20 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 .

 

 
Back to Top