RCP10N40A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RCP10N40A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800pF pF
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
RCP10N40A Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 , BT15T120ANF , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF .
History: MIXA50PM650TMI | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | SII100N06 | CM600DXL-24S
History: MIXA50PM650TMI | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | SII100N06 | CM600DXL-24S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor