IGC11T120T8L - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGC11T120T8L
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Тип корпуса: CHIP
Аналог (замена) для IGC11T120T8L
IGC11T120T8L Datasheet (PDF)
igc11t120t8l.pdf
IGC11T120T8LIGBT4 Low Power ChipFeatures: Recommended for: 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficientApplications: easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for targetGapplications EChip Type VCE ICn1 ) Die Size PackageIGC11T120T8L 1200V 8A 3
igc11t120t6l.pdf
IGC11T120T6L IGBT4 Low Power Chip FEATURES: 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for:C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC11T120T6L 1200V 8A 3.48 x 3.19 mm2 sawn on foil MECHANICAL P
sigc11t60snc.pdf
SIGC11T60SNC IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 600V NPT technology 100m chip IGBT Modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: GE drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67050-A4155-SIGC11T60SNC 600V 10A 3.25 x 3.25 mm2 sawn on foil A001 MECHANICAL PARAMETER: mm2
sigc11t60nc.pdf
SIGC11T60NC IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 600V NPT technology 100m chip IGBT Modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: GE drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67050-A4158-SIGC11T60NC 600V 10A 3.25 x 3.25 mm2 sawn on foil A001 MECHANICAL PARAMETER: mm2 Ra
Другие IGBT... APT15GF170BR , IGC03R60D , IGC03R60DE , IGC04R60D , IGC04R60DE , IGC05R60D , IGC05R60DE , IGC06R60D , IHW20N120R2 , IGC100T65T8RM , IGC109T120T6RH , IGC109T120T6RL , IGC109T120T6RM , IGC10R60D , IGC10R60DE , IGC10T65QE , IGC114T170S8RH .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2