Справочник IGBT. SGF40N60UFD

 

SGF40N60UFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF40N60UFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 168 pF
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGF40N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  1
 sgf40n60ufd.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

 4.1. Size:587K  1
 sgf40n60uf.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

October 2001 IGBTSGF40N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 20AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where Hig

Другие IGBT... RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , YGW60N65F1A2 , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF .

History: MMG200D120B6TC | AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1

 

 
Back to Top

 


 
.