SGF40N60UFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGF40N60UFD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 168 pF

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGF40N60UFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF40N60UFD даташит

 ..1. Size:192K  1
 sgf40n60ufd.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

 4.1. Size:587K  1
 sgf40n60uf.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

October 2001 IGBT SGF40N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 20A UF series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where Hig

Другие IGBT... RCP10N35, RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, GT30G122, SGF5N150UF, SGF80N60UF, SGF80N60UFD, SGH10N120RUF, SGH10N120RUFD, SGH10N60RUFD, SGH13N60UFD, SGH15N120RUF