Справочник IGBT. SGF40N60UFD

 

SGF40N60UFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF40N60UFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 168 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 92 nC
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для SGF40N60UFD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF40N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  1
 sgf40n60ufd.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

 4.1. Size:587K  1
 sgf40n60uf.pdf pdf_icon

SGF40N60UFD

October 2001 IGBTSGF40N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 20AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where Hig

Другие IGBT... RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , HGTG30N60A4 , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF .

History: MMG100J120UZ6TN | APT35GT120JU3

 

 
Back to Top

 


 
.