1MB03D-120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 1MB03D-120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 1MB03D-120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MB03D-120 даташит

 ..1. Size:205K  fuji
 1mb03d-120.pdf pdf_icon

1MB03D-120

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim

Другие IGBT... TGH80N65F2DR, TGH80N65F2DS, TGHP75N120F2D, TGHP75N120FDR, TGL75N120FDR, TGPF15N60FDR, TGPF20N60FDR, TGH80N65F2D2, FGPF4536, 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120, 1MB10-120, 1MB10D-120, 1MB15D-060, 1MB20-060