SGH30N60RUF - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SGH30N60RUF. Основные параметры


   Наименование: SGH30N60RUF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 162 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SGH30N60RUF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGH30N60RUF даташит

 ..1. Size:196K  1
 sgh30n60ruf.pdf pdf_icon

SGH30N60RUF

 0.1. Size:658K  fairchild semi
 sgh30n60rufd.pdf pdf_icon

SGH30N60RUF

September 2000 IGBT SGH30N60RUFD Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) RUFD Short Circuit rated 10us @ TC = 100 C, VGE = 15V series provides low conduction and switching losses as well High Speed Switching as short circuit ruggedness. RUFD series is designed for Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.2 V @

 0.2. Size:284K  samsung
 sgh30n60rufd.pdf pdf_icon

SGH30N60RUF

CO-PAK IGBT SGH30N60RUFD FEATURES TO-3P * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=30A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 50nS (Typ) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD , SGH20N120RUF , SGH20N120RUFD , SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , SGH25N120RUF , GT50JR22 , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , SGH5N120RUFD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD , SGI25N40 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.