SGU15N40L - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGU15N40L
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 10(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для SGU15N40L
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGU15N40L даташит
Другие IGBT... SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGT60U65FD1PT , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF .
History: XNS25N120T | STGB19NC60W | RJP5001APP-00 | T0800EB45G | T1200EB45E | VS-ETL015Y120H | TGH40N60F2D
History: XNS25N120T | STGB19NC60W | RJP5001APP-00 | T0800EB45G | T1200EB45E | VS-ETL015Y120H | TGH40N60F2D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801

