SGW5N60RUF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGW5N60RUF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SGW5N60RUF
SGW5N60RUF Datasheet (PDF)
sgw5n60ruf.pdf
N-CHANNEL IGBT SGW5N60RUFFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES
sgw5n60rufd.pdf
CO-PAK IGBT SGW5N60RUFDFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (Typ.)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие IGBT... SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGP30N60 , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2