SKM145GB124DN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM145GB124DN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 830
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 190
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 50
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1000
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM145GB124DN
SKM145GB124DN Datasheet (PDF)
skm145gb124d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 DIC Tcase = 25/70 C 190 / 145 AICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 800 WTj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40040 Class Fclimate DIN IEC
Другие IGBT... SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , IRG4PH50UD , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D .
![SKM145GB124DN](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SKM145GB124DN](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SKM145GB124DN](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ