SKM150GAL123D - аналоги и описание IGBT

 

SKM150GAL123D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM150GAL123D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM150GAL123D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM150GAL123D даташит

 ..1. Size:609K  semikron
 skm150gal123d.pdf pdf_icon

SKM150GAL123D

 3.1. Size:529K  semikron
 skm150gal12v.pdf pdf_icon

SKM150GAL123D

SKM150GAL12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 231 A Tj = 175 C Tc =80 C 176 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GAL12V Tc =80 C 141 A IFno

 3.2. Size:729K  semikron
 skm150gal12t4.pdf pdf_icon

SKM150GAL123D

SKM150GAL12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 232 A Tj = 175 C Tc =80 C 179 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GAL12T4

 6.1. Size:514K  semikron
 skm150gar12t4.pdf pdf_icon

SKM150GAL123D

SKM150GAR12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 232 A Tj = 175 C Tc =80 C 179 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GAR12T4 Tc =80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , IRG4PC40W , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.