Справочник IGBT. SKM150GAL123D

 

SKM150GAL123D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM150GAL123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM150GAL123D

 

 

SKM150GAL123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  semikron
 skm150gal123d.pdf

SKM150GAL123D SKM150GAL123D

 3.1. Size:529K  semikron
 skm150gal12v.pdf

SKM150GAL123D SKM150GAL123D

SKM150GAL12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 231 ATj = 175 CTc =80C 176 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAL12VTc =80C 141 AIFno

 3.2. Size:729K  semikron
 skm150gal12t4.pdf

SKM150GAL123D SKM150GAL123D

SKM150GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 232 ATj = 175 CTc =80C 179 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 2tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAL12T4

 6.1. Size:514K  semikron
 skm150gar12t4.pdf

SKM150GAL123D SKM150GAL123D

SKM150GAR12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 232 ATj = 175 CTc =80C 179 AICnom 150 AICRM ICRM = 3xICnom 450 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 189 ATj = 175 CSKM150GAR12T4Tc =80

 6.2. Size:703K  semikron
 skm150gar123d.pdf

SKM150GAL123D SKM150GAL123D

Другие IGBT... SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , IXRH40N120 , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , SKM195GAL062D .

 

 
Back to Top