SKM150GB173D - аналоги и описание IGBT

 

SKM150GB173D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM150GB173D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1300 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM150GB173D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM150GB173D даташит

 ..1. Size:706K  semikron
 skm150gb173d.pdf pdf_icon

SKM150GB173D

 4.1. Size:110K  semikron
 skm150gb174d.pdf pdf_icon

SKM150GB173D

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Low Loss IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1700 V VCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 150 GB 174 D IC; ICN Tcase = 25/60 C 180 / 150 A ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 360 / 300 A VGES 20 V Preliminary Data Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1080 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 4) 3400 V humidity DIN 40 040

 5.1. Size:142K  semikron
 skm150gb125d.pdf pdf_icon

SKM150GB173D

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Ultra Fast IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 150 GB 125 D IC Tcase = 25/80 C 150 / 100 4) A ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 300 / 200 4) A Preliminary Data 5) VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 1040 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 400

 5.2. Size:491K  semikron
 skm150gb12v.pdf pdf_icon

SKM150GB173D

SKM150GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 231 A Tj = 175 C Tc =80 C 176 A ICnom 150 A ICRM ICRM = 3xICnom 450 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 189 A Tj = 175 C SKM150GB12V Tc =80 C 141 A IFnom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , IRG7S313U , SKM150GB174D , SKM195GAL062D , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN .

History: SKM450GB12E4 | GT30J322 | BG200B12UY3-I | JT075N120F2MA1E | STGBL6NC60DI | STGB40H65FB | JT05N065SAD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.