BUK9609-40B
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUK9609-40B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 75
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 32
nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007
Ohm
Тип корпуса:
D2PAK
Аналог (замена) для BUK9609-40B
BUK9609-40B
Datasheet (PDF)
..1. Size:976K nxp
buk9609-40b.pdf BUK9609-40BN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 7 June 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.1.2 Features
6.1. Size:313K philips
buk9509-55a buk9509-55a buk9609-55a.pdf BUK95/9609-55ATrenchMOS logic level FETRev. 01 21 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9509-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK9609-55A in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Q101 complia
6.2. Size:751K nxp
buk9609-75a.pdf BUK9609-75AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 4 30 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.1.2 Feature
7.1. Size:326K philips
buk9509 buk9609 75a-02.pdf BUK9509-75A; BUK9609-75ATrenchMOS logic level FETRev. 02 06 November 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9509-75A in SOT78 (TO-220AB)BUK9609-75A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS techn
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.