BUK9618-55A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUK9618-55A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BUK9618-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9618-55A даташит

 ..1. Size:333K  philips
 buk9518-55a buk9618-55a.pdf pdf_icon

BUK9618-55A

BUK9518-55A; BUK9618-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 27 August 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9518-55A in SOT78 (TO-220AB) 2 BUK9618-55A in SOT404 (D -PAK). 2. Features TrenchMOS technology Q

 4.1. Size:55K  philips
 buk9618-55 1.pdf pdf_icon

BUK9618-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9618-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 57 A the device fea

 6.1. Size:50K  philips
 buk9618-30 1.pdf pdf_icon

BUK9618-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9618-30 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 30 V mounting using trench technology. ID Drain current (DC) 55 A Thedevice feat

 7.1. Size:68K  philips
 buk95180-100a buk96180-100a.pdf pdf_icon

BUK9618-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK95180-100A Logic level FET BUK96180-100A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 11 A trench tec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9610-55A, BUK9611-55A, BUK9612-55B, BUK9614-55A, BUK9615-100A, BUK9616-55A, BUK9616-75B, BUK96180-100A, CS150N04A8, BUK9620-100B, BUK9620-55A, BUK9623-75A, BUK9624-55A, BUK9628-100A, BUK9628-55A, BUK9629-100B, BUK962R8-30B