BUK9628-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9628-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 99 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK9628-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9628-55A даташит

 ..1. Size:317K  philips
 buk9528-55a buk9528-55a buk9628-55a.pdf pdf_icon

BUK9628-55A

BUK9528-55A; BUK9628-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 18 January 2001 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9528-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK9628-55A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS techno

 ..2. Size:770K  nxp
 buk9628-55a.pdf pdf_icon

BUK9628-55A

BUK9628-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 17 February 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Feat

 4.1. Size:55K  philips
 buk9628-55 2.pdf pdf_icon

BUK9628-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9628-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 40 A the device fea

 6.1. Size:77K  philips
 buk9528 buk9628-100a.pdf pdf_icon

BUK9628-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9528-100A Logic level FET BUK9628-100A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 49 A trench techn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9616-75B, BUK96180-100A, BUK9618-55A, BUK9620-100B, BUK9620-55A, BUK9623-75A, BUK9624-55A, BUK9628-100A, 5N60, BUK9629-100B, BUK962R8-30B, BUK9635-100A, BUK9635-55A, BUK963R2-40B, BUK9640-100A, BUK964R2-55B, BUK964R4-40B