BUK9E04-40A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9E04-40A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для BUK9E04-40A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9E04-40A даташит

 ..1. Size:358K  philips
 buk9504-40a buk9604-40a buk9e04-40a.pdf pdf_icon

BUK9E04-40A

BUK95/96/9E04-40A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 24 October 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9504-40A in SOT78 (TO-220AB); BUK9604-40A in SOT404 (D 2-PAK); BUK9E04-40A in SOT226 (I2-PAK). 2. Features Tr

 8.1. Size:199K  philips
 buk9e06-55a.pdf pdf_icon

BUK9E04-40A

BUK9E06-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 31 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features

 8.2. Size:339K  philips
 buk9e08-55b.pdf pdf_icon

BUK9E04-40A

BUK9E08-55B N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 31 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features

 8.3. Size:115K  philips
 buk95 buk96 buk9e06-55b.pdf pdf_icon

BUK9E04-40A

BUK95/96/9E06-55B N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 30 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. 1.2 Features TrenchMOS technology Q101 compli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK9875-100A, BUK9880-55A, BUK9907-40ATC, BUK9907-55ATE, BUK9C07-65BIT, BUK9C10-55BIT, BUK9C10-65BIT, BUK9E04-30B, IRF9640, BUK9E06-55A, BUK9E06-55B, BUK9E08-55B, BUK9E3R2-40B, BUK9E4R4-40B, BUK9MFF-65PSS, BUK9MGP-55PTS, BUK9MHH-65PNN