NX3008NBK - аналоги и даташиты транзистора

 

NX3008NBK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NX3008NBK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для NX3008NBK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX3008NBK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1602K  nxp
 nx3008nbk.pdf pdf_icon

NX3008NBK

NX3008NBK30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Low t

 0.1. Size:1598K  nxp
 nx3008nbkw.pdf pdf_icon

NX3008NBK

NX3008NBKW30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2 kV Low thre

 0.2. Size:1606K  nxp
 nx3008nbkv.pdf pdf_icon

NX3008NBK

NX3008NBKV30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection

 0.3. Size:1618K  nxp
 nx3008nbks.pdf pdf_icon

NX3008NBK

NX3008NBKS30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 August 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection up to 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK9Y30-75B , BUK9Y34-100B , BUK9Y40-55B , BUK9Y53-100B , BUK9Y58-75B , NX2301P , NX3008CBKS , NX3008CBKV , AON7408 , NX3008NBKS , NX3008NBKT , NX3008NBKV , NX3008NBKW , NX3008PBK , NX3008PBKS , NX3008PBKT , NX3008PBKV .

 

 
Back to Top

 


 
.