Справочник MOSFET. PHK04P02T

 

PHK04P02T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK04P02T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PHK04P02T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK04P02T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  nxp
 phk04p02t.pdf pdf_icon

PHK04P02T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие MOSFET... PHC21025 , PHC2300 , PHD101NQ03LT , PHD20N06T , PHD38N02LT , PHD71NQ03LT , PHD97NQ03LT , PHD9NQ20T , STF13NM60N , PHK12NQ03LT , PHK12NQ10T , PHK13N03LT , PHK18NQ03LT , PHK28NQ03LT , PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.