PHK04P02T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK04P02T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHK04P02T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK04P02T даташит

 ..1. Size:299K  nxp
 phk04p02t.pdf pdf_icon

PHK04P02T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PHC21025, PHC2300, PHD101NQ03LT, PHD20N06T, PHD38N02LT, PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, IRFP250, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT