PHK28NQ03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK28NQ03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHK28NQ03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK28NQ03LT даташит

No data!

Другие IGBT... PHD71NQ03LT, PHD97NQ03LT, PHD9NQ20T, PHK04P02T, PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, RFP50N06, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, PHKD3NQ10T, PHKD6N02LT, PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T